Ingenieria Electronica

En este sitio se encuentra el temario y material desarrollado, tambien una invitacion a colaborar y aportar mas material.

Unidad 1 Fundamentos de semiconductores

1.1 Estado Cristalino Redes Cristalinas y crecimiento de cristales en Semiconductores

1.2 Materiales Semiconductores

1.3 Modelode Enlace Covalente Semiconductores

1.4 Materiales Intrinsecos Materiales Extrinsecos

1.5 Modelo de Bandas de Energia

1.6 Distribucion FermiDirac y Distribucion Maxwell Boltzman

1.7 Nivel de Fermi en materiales intrinsecos y extrinsecos

1.8 Conductividad Movilidad Proceso de Difusion

1.9 Ecuaciones de Continuidad

Unidad 2 Union PN

2.1 Semiconductor P y Semiconductor N

2.2 Union Pn en estado de equilibrio

2.2.1 Potencial de Contacto

2.2.2 Campo Electrico

2.2.3 Zonas de Vaciamiento

2.2.4 Carga Almacenada

2.2.5 Capacitancia

2.3 Condiciones de Polarizacion

2.3.1 Polarizacion Directa

2.3.2 Polarizacion Inversa

2.4 Fenomenos de Ruptura

2.4.1 Ruptura por Multiplicacion o avalancha

2.4.2 Ruptura Zener

2.5 Tecnicas Fabricacion Dispositivos De Union

Unidad 3 Dispositivos de union

3.1 Diodo Rectificador

3.2 Diodo Zener

3.3 Diodo Tunel

3.4 Diodo Varactor

3.5 Diodo Pin

3.6 Diodo Schottky

3.7 Dispositivos Opticos

3.7.1 Foto Diodo

3.7.2 Diodo Emisor de Luz

3.7.3 Diodo Laser

3.7.4 Celda Fotovoltaica

3.7.5 Foto Resistencias

Unidad 4 Dispositivos bipolares y monopolares

4.1 Dispositivos Bipolares

4.1.1 Funcionamiento Transistor Bjt

4.1.2 Polarizacion Transistor Bipolar Bjt

4.1.3 Aplicaciones básicas

4.2 Dispositivos Monopolares

4.2.1 Estructura Construccion de Fet

4.2.2 Funcionamiento del Fet

4.2.3 Funcionamiento del Mosf


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